三星上新目标：6月前开发出第六代11nm 1c DRAM芯片

发布时间：2023年02月27日 12:18

近日，韩国大媒体《BusinessKorea》新闻，世界性最大存储器制造商韩国Samsung设定了远距离，预计在月份6月前，完成11基体的第六代1c DRAMCPU的开发。

大媒体报道称，Samsung已通知半导体数据比对人员，决定省去或放弃12基体的第五代1b DRAM开发，便将立即加速开发1c DRAM产品。

市场确信Samsung此举是为了扩充与SK海力士和美光科技等竞争者的技术差。

这并非Samsung第一次决定省去DRAM开发路由，挑战不够高技术。此前Samsung曾放弃28基体DRAM出厂，转向25基体DRAM产品开发。

比对人士表示，Samsung装配11基体DRAM并不是一件容易的事，必须有比过去不够技术的技术才能达成。